DMP58D0SV-7 Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -50В; -0,16А; 0,4Вт; SOT563; ESD, Diodes Incorporated

DMP58D0SV-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	400mW
Исполнение корпуса	SOT-563
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	160mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 100mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	27pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	400mW
Исполнение корпуса	SOT-563
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	160mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 100mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	27pF @ 25V