DMP58D0LFB-7B Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN, Diodes Incorporated

DMP58D0LFB-7B характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-UFDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	3-X1DFN1006
Рассеивание мощности (Макс)	470mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 100mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	27pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 5V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-UFDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	3-X1DFN1006
Рассеивание мощности (Макс)	470mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 100mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	27pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 5V
Vgs (Max)	±20V