DMP26M7UFG-13 Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -14,5А; Idm: -80А; 2,3Вт, Diodes Incorporated

DMP26M7UFG-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerDI3333-8
Рассеивание мощности (Макс)	2.3W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 15A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	156nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5940pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerDI3333-8
Рассеивание мощности (Макс)	2.3W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 15A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	156nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5940pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±10V