DMP25H18DLFDE-13 Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -210мА; Idm: -1А; 1,4Вт, Diodes Incorporated

DMP25H18DLFDE-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type E)
Рассеивание мощности (Макс)	600mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	250V
Ток стока (Id) @ 25°C	260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm @ 200mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	81pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3.5V, 10V
Vgs (Max)	±40V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type E)
Рассеивание мощности (Макс)	600mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	250V
Ток стока (Id) @ 25°C	260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm @ 200mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	81pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3.5V, 10V
Vgs (Max)	±40V