DMP2541UCB9-7 Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET P-CH 25V 9UWLB, Diodes Incorporated

DMP2541UCB9-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Preliminary
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	9-UFBGA, WLBGA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 155°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-WLB1515-9
Рассеивание мощности (Макс)	940mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	-6V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Preliminary
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	9-UFBGA, WLBGA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 155°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-WLB1515-9
Рассеивание мощности (Макс)	940mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	-6V