Failed to connect to MySQLi: (1040) Too many connections DMP22D4UDA-7B Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2 P-CH 20V X2DFN0806-6, Diodes Incorporated
+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

DMP22D4UDA-7B

  • Описание
    MOSFET 2 P-CH 20V X2DFN0806-6


DMP22D4UDA-7B характеристики
Производитель Diodes Incorporated
Серия -
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-SMD, No Lead
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 310mW
Исполнение корпуса X2-DFN0806-6
Тип полевого транзистора 2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 328mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 28.5pF @ 15V

Характеристики
Производитель Diodes Incorporated
Серия -
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-SMD, No Lead
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 310mW
Исполнение корпуса X2-DFN0806-6
Тип полевого транзистора 2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 328mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 28.5pF @ 15V

DMP22D4UDA-7B

  • Описание
    MOSFET 2 P-CH 20V X2DFN0806-6

Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на DMP22D4UDA-7B. Транзисторы — полевые — массивы производства Diodes Incorporated доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы DMP22D4UDA-7B купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
22 шт.
от 1079 ₽
+ 161850 баллов
Подробнее
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
82 шт.
от 883 ₽
+ 264900 баллов
Подробнее
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 883 ₽
+ 264900 баллов
Подробнее
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
29 шт.
от 664 ₽
+ 199200 баллов
Подробнее
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
19 шт.
от 954 ₽
+ 143100 баллов
Подробнее
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
124 шт.
от 876 ₽
+ 131400 баллов
Подробнее
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
25 шт.
от 649 ₽
+ 97350 баллов
Подробнее
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 585 ₽
+ 175500 баллов
Подробнее
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
90 шт.
от 649 ₽
+ 97350 баллов
Подробнее
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3057 шт.
от 588 ₽
+ 176400 баллов
Подробнее
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
66 шт.
от 635 ₽
+ 95250 баллов
Подробнее
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
18 шт.
от 588 ₽
+ 176400 баллов
Подробнее
Смотреть все
Выберите ваш город