DMP2215L-7 от 116 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3, Diodes Incorporated

DMP2215L-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Рассеивание мощности (Макс)	1.08W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Рассеивание мощности (Макс)	1.08W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V