DMP2160UFDBQ-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.4W
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type B)
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	536pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.4W
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type B)
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	536pF @ 10V

DMP2160UFDBQ-7

DMP2160UFDBQ-7 характеристики