DMP2100UFU-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	900mW
Исполнение корпуса	U-DFN2030-6 (Type B)
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 3.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	906pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	900mW
Исполнение корпуса	U-DFN2030-6 (Type B)
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 3.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	906pF @ 10V

DMP2100UFU-7

DMP2100UFU-7 характеристики