DMP2100UCB9-7 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB, Diodes Incorporated

DMP2100UCB9-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	9-UFBGA, WLBGA
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	800mW
Исполнение корпуса	U-WLB1515-9
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual) Common Source
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	310pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	9-UFBGA, WLBGA
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	800mW
Исполнение корпуса	U-WLB1515-9
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual) Common Source
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	310pF @ 10V