DMP2039UFDE-7 от 98 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -25В; -5,4А; 0,8Вт; U-DFN2020-6; ESD, Diodes Incorporated

DMP2039UFDE-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type E)
Рассеивание мощности (Макс)	800mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48.7nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2530pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type E)
Рассеивание мощности (Макс)	800mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48.7nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2530pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V