DMP2035UVTQ-7 от 105 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,7А; Idm: -24А; 2Вт; TSOT26, Diodes Incorporated

DMP2035UVTQ-7 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TSOT-26
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TSOT-26
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V