DMP2035UTS-13 от 135 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; 3,96А; Idm: 22А; 0,89Вт, Diodes Incorporated

DMP2035UTS-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	890mW
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Base Part Number	DMP2035UTS
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.04A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1610pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	890mW
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Base Part Number	DMP2035UTS
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.04A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1610pF @ 10V