DMP2022LSSQ-13 от 224 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7,4А; Idm: -35А; 1,6Вт; SO8, Diodes Incorporated

DMP2022LSSQ-13 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 155°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Рассеивание мощности (Макс)	1.6W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2575pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 155°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Рассеивание мощности (Макс)	1.6W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2575pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V