DMP2010UFG-13 от 190 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12,7А; Idm: -80А; 2,3Вт, Diodes Incorporated

DMP2010UFG-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerDI3333-8
Рассеивание мощности (Макс)	900mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	103nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3350pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerDI3333-8
Рассеивание мощности (Макс)	900mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	103nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3350pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±10V