DMP1555UFA-7B от 53 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -0,2А; 0,36Вт; X2-DFN0806-3, Diodes Incorporated

DMP1555UFA-7B характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-XFDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	X2-DFN0806-3
Рассеивание мощности (Макс)	360mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 200mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.84nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	55.4pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-XFDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	X2-DFN0806-3
Рассеивание мощности (Макс)	360mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 200mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.84nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	55.4pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V