DMP10H4D2S-13 от 96 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -210мА; Idm: -1А; 440мВт, Diodes Incorporated

DMP10H4D2S-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Рассеивание мощности (Макс)	380mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	87pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Рассеивание мощности (Макс)	380mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	87pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V