DMP10H400SE-13 от 157 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,1А; 2Вт; SOT223, Diodes Incorporated

DMP10H400SE-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta), 13.7W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1239pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta), 13.7W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1239pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V