DMP1022UFDF-13 Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -8,8А; Idm: -90А; 1,3Вт, Diodes Incorporated

DMP1022UFDF-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type F)
Рассеивание мощности (Макс)	730mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.8 mOhm @ 4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2712pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type F)
Рассеивание мощности (Макс)	730mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.8 mOhm @ 4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2712pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V