DMP1012UFDF-7 от 121 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12,6А; Idm: -55А; 1,36Вт, Diodes Incorporated

DMP1012UFDF-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6
Рассеивание мощности (Макс)	720mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1344pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6
Рассеивание мощности (Макс)	720mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1344pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V