Каталог товаров
Назад

DMNH6012SPSQ-13

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 30А; Idm: 200А; 3,1Вт
352
  • 1 шт
    352 ₽
  • 10 шт
    268 ₽
  • 100 шт
    189 ₽
  • 500 шт
    154 ₽
  • 1000 шт
    143 ₽
  • 2500 шт
    136 ₽
  • 10000 шт
    136 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 352
При покупке кэшбэк 52 балла


DMNH6012SPSQ-13 характеристики

Серия Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса PowerDI5060-8
Рассеивание мощности (Макс) 1.6W (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1926pF @ 30V
  • Производитель
    Diodes Incorporated

Характеристики

Серия Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса PowerDI5060-8
Рассеивание мощности (Макс) 1.6W (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1926pF @ 30V

DMNH6012SPSQ-13

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 30А; Idm: 200А; 3,1Вт
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Diodes Incorporated

Бесплатная доставка DMNH6012SPSQ-13 по России

Транзисторы — полевые — одиночные DMNH6012SPSQ-13 Diodes Incorporated доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить DMNH6012SPSQ-13 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
535 шт.
от 33.6 ₽
+ 25
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
13800 шт.
от 131 ₽
+ 20
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 43.5 ₽
+ 176
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
588078 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
635732 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
12701 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
25249 шт.
от 89 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
521592 шт.
от 103 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
66998 шт.
от 98 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
743385 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
24078 шт.
от 96 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
21248 шт.
от 103 ₽
+ 15