DMNH6012LK3-13 Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET NCH 60V 60A TO252, Diodes Incorporated

DMNH6012LK3-13 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252-4L
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1926pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252-4L
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1926pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V