DMN65D8LQ-13 от 30.5 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 210мА; Idm: 0,8А; 540мВт; SOT23, Diodes Incorporated

DMN65D8LQ-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	370mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 115mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	370mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 115mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V