Каталог товаров
Назад

DMN65D8LFB-7B

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 310мА; 840мВт; X1-DFN1006-3
35
  • 1 шт
    35 ₽
  • 10 шт
    24 ₽
  • 100 шт
    13.6 ₽
  • 1000 шт
    10.3 ₽
  • 2500 шт
    8.5 ₽
  • 10000 шт
    8.5 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 35
При покупке кэшбэк 5 баллов


DMN65D8LFB-7B характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 3-UFDFN
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса X1-DFN1006-3
Рассеивание мощности (Макс) 430mW (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 115mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Diodes Incorporated

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 3-UFDFN
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса X1-DFN1006-3
Рассеивание мощности (Макс) 430mW (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 115mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

DMN65D8LFB-7B

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 310мА; 840мВт; X1-DFN1006-3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Diodes Incorporated

Бесплатная доставка DMN65D8LFB-7B по России

Транзисторы — полевые — одиночные DMN65D8LFB-7B Diodes Incorporated доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить DMN65D8LFB-7B с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
535 шт.
от 33.6 ₽
+ 25
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
5178 шт.
от 54 ₽
+ 178
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 44 ₽
+ 178
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
5000 шт.
от 51 ₽
+ 360
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
635732 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
2705 шт.
от 55 ₽
+ 25
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
954 шт.
от 53 ₽
+ 890
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
2690 шт.
от 49 ₽
+ 353
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
1155 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
8166 шт.
от 66 ₽
+ 881
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
1566 шт.
от 36 ₽
+ 5
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
7109 шт.
от 61 ₽
+ 878