DMN63D8LDW-7 от 39 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,17А; Idm: 0,8А; 0,4Вт; ESD, Diodes Incorporated

DMN63D8LDW-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Base Part Number	DMN63D8L
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	870nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Base Part Number	DMN63D8L
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	870nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 25V