+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

DMN63D8LDW-13

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,17А; Idm: 0,8А; 0,4Вт; ESD
42 ₽
цена с НДС
  • 1 шт
    42 ₽
  • 10 шт
    25 ₽
  • 100 шт
    15.6 ₽
  • 500 шт
    11.6 ₽
  • 1000 шт
    9 ₽
  • 5000 шт
    7.9 ₽
  • 10000 шт
    5.6 ₽
  • 20000 шт
    5.3 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 42 ₽
При покупке кэшбэк 6 баллов
Добавить в корзину
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

DMN63D8LDW-13 характеристики
Серия -
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 300mW
Исполнение корпуса SOT-363
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 870nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V
  • Производитель
    Diodes Incorporated

Характеристики
Серия -
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 300mW
Исполнение корпуса SOT-363
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 870nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V

DMN63D8LDW-13

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,17А; Idm: 0,8А; 0,4Вт; ESD
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Diodes Incorporated

Бесплатно доставим DMN63D8LDW-13 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы DMN63D8LDW-13 Diodes Incorporated доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить DMN63D8LDW-13 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
25 шт - 4-6 недель
от 1761 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 264
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
20 шт - 4-6 недель
от 1582 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 237
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
40 шт - 4-6 недель
от 1582 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 237
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1280 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 192
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
34 шт - 4-6 недель
от 1701 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 255
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1701 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 255
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
139 шт - 4-6 недель
от 1233 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
40 шт - 4-6 недель
от 1236 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
188 шт - 4-6 недель
от 1230 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
3011 шт - 4-6 недель
от 1236 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
152 шт - 4-6 недель
от 1230 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
31 шт - 4-6 недель
от 1146 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 172
Смотреть все
Выберите ваш город