DMN63D1LV-13 Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 450мА; Idm: 1,2А; 940мВт; SOT563, Diodes Incorporated

DMN63D1LV-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	940mW
Исполнение корпуса	SOT-563
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.392nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	940mW
Исполнение корпуса	SOT-563
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.392nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 25V