DMN63D1LDW-13 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363, Diodes Incorporated

DMN63D1LDW-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	310mW
Исполнение корпуса	SOT-23
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	310mW
Исполнение корпуса	SOT-23
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 25V