DMN62D0UDW-7 от 62 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,29А; 0,32Вт; SOT363; ESD, Diodes Incorporated

DMN62D0UDW-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	320mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	32pF @ 30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	320mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	32pF @ 30V