Каталог товаров
Назад

DMN62D0UDW-13

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 290мА; 410мВт; SOT363
62
  • 1 шт
    62 ₽
  • 10 шт
    41 ₽
  • 100 шт
    21.4 ₽
  • 1000 шт
    17.5 ₽
  • 2500 шт
    15.4 ₽
  • 10000 шт
    14 ₽
  • 20000 шт
    13.8 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 62
При покупке кэшбэк 9 баллов


DMN62D0UDW-13 характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 320mW
Исполнение корпуса SOT-363
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 30V
  • Производитель
    Diodes Incorporated

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 320mW
Исполнение корпуса SOT-363
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 30V

DMN62D0UDW-13

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 290мА; 410мВт; SOT363
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Diodes Incorporated

Бесплатная доставка DMN62D0UDW-13 по России

Транзисторы — полевые — массивы DMN62D0UDW-13 Diodes Incorporated доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить DMN62D0UDW-13 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 1 881 ₽
+ 282
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
12 шт.
от 1 507 ₽
+ 226
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
15 шт.
от 2 061 ₽
+ 309
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 2 015 ₽
+ 302
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
63 шт.
от 1 576 ₽
+ 236
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
194 шт.
от 1 651 ₽
+ 248
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
635 шт.
от 1 580 ₽
+ 237
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
110 шт.
от 1 642 ₽
+ 246
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
30 шт.
от 1 348 ₽
+ 202
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
3 шт.
от 2 190 ₽
+ 329
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
30 шт.
от 1 532 ₽
+ 230
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
50 шт.
4 шт.
от 1 401 ₽
+ 210