DMN62D0LFD-7 от 67 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN, Diodes Incorporated

DMN62D0LFD-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-UDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	X1-DFN1212-3
Рассеивание мощности (Макс)	480mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 100mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	500nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	31pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-UDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	X1-DFN1212-3
Рассеивание мощности (Макс)	480mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 100mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	500nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	31pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V
Vgs (Max)	±20V