Failed to connect to MySQLi: (2002) Connection refused DMN61D9UDW-13 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363, Diodes Incorporated
+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

DMN61D9UDW-13

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363


DMN61D9UDW-13 характеристики
Производитель Diodes Incorporated
Серия -
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 320mW
Исполнение корпуса SOT-363
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 28.5pF @ 30V

Характеристики
Производитель Diodes Incorporated
Серия -
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 320mW
Исполнение корпуса SOT-363
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 28.5pF @ 30V

DMN61D9UDW-13

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на DMN61D9UDW-13. Транзисторы — полевые — массивы производства Diodes Incorporated доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы DMN61D9UDW-13 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1103 ₽
+ 165450 баллов
Подробнее
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
78 шт.
от 902 ₽
+ 270600 баллов
Подробнее
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 902 ₽
+ 270600 баллов
Подробнее
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 679 ₽
+ 203700 баллов
Подробнее
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
329 шт.
от 1000 ₽
+ 300000 баллов
Подробнее
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
83 шт.
от 900 ₽
+ 270000 баллов
Подробнее
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
235 шт.
от 638 ₽
+ 95700 баллов
Подробнее
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 598 ₽
+ 179400 баллов
Подробнее
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
458 шт.
от 638 ₽
+ 95700 баллов
Подробнее
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
1331 шт.
от 601 ₽
+ 180300 баллов
Подробнее
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
291 шт.
от 638 ₽
+ 95700 баллов
Подробнее
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
8 шт.
от 601 ₽
+ 180300 баллов
Подробнее
Смотреть все
Выберите ваш город