DMN61D8LVTQ-13 Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 500мА; 1,09Вт; TSOT26, Diodes Incorporated

DMN61D8LVTQ-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	820mW
Исполнение корпуса	TSOT-26
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12.9pF @ 12V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	820mW
Исполнение корпуса	TSOT-26
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12.9pF @ 12V