DMN6140LQ-13 от 116 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3, Diodes Incorporated

DMN6140LQ-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	700mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 1.8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	315pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	700mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 1.8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	315pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V