DMN6070SSD-13 от 105 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8, Diodes Incorporated

DMN6070SSD-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 12A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	588pF @ 30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 12A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	588pF @ 30V