DMN6040SVTQ-7 от 158 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26, Diodes Incorporated

DMN6040SVTQ-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TSOT-26
Рассеивание мощности (Макс)	1.2W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44 mOhm @ 4.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1287pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TSOT-26
Рассеивание мощности (Макс)	1.2W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44 mOhm @ 4.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1287pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V