DMN6040SFDE-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type E)
Рассеивание мощности (Макс)	660mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 4.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1287pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type E)
Рассеивание мощности (Макс)	660mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 4.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1287pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

DMN6040SFDE-7

DMN6040SFDE-7 характеристики