DMN6022SSD-13 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.2W (Ta)
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2110pF @ 30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.2W (Ta)
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2110pF @ 30V

DMN6022SSD-13

DMN6022SSD-13 характеристики