DMN601DWKQ-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	200mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	305mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.304nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	200mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	305mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.304nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V

DMN601DWKQ-7

DMN601DWKQ-7 характеристики