DMN601DMK-7 от 93 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 470мА; Idm: 0,85А; 980мВт; SOT26, Diodes Incorporated

DMN601DMK-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	700mW
Исполнение корпуса	SOT-26
Base Part Number	DMN601DMK
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	510mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 200mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	304nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	700mW
Исполнение корпуса	SOT-26
Base Part Number	DMN601DMK
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	510mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 200mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	304nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V