DMN6017SK3-13 от 214 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8,8А; Idm: 70А; 3,3Вт; TO252, Diodes Incorporated

DMN6017SK3-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	50W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2711pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	50W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2711pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V