DMN5L06VK-7 Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,28А; 0,25Вт; SOT563; ESD, Diodes Incorporated

DMN5L06VK-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	250mW
Исполнение корпуса	SOT-563
Base Part Number	DMN5L06VK
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	280mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	250mW
Исполнение корпуса	SOT-563
Base Part Number	DMN5L06VK
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	280mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V