DMN5L06DW-7 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363, Diodes Incorporated

DMN5L06DW-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	200mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Base Part Number	DMN5L06DW
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	280mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 200mA, 2.7V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	200mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Base Part Number	DMN5L06DW
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	280mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 200mA, 2.7V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V