DMN5L06DMK-7 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26, Diodes Incorporated

DMN5L06DMK-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	400mW
Исполнение корпуса	SOT-26
Base Part Number	DMN5L06DMK
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	400mW
Исполнение корпуса	SOT-26
Base Part Number	DMN5L06DMK
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V