DMN33D8LDW-13 Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 200мА; Idm: 0,8А; 220мВт, Diodes Incorporated

DMN33D8LDW-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	350mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	48pF @ 5V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	350mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	48pF @ 5V