Каталог товаров
Назад

DMN31D5UFZ-7B

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 150мА; Idm: 0,5А; 393мВт
103
  • 1 шт
    103 ₽
  • 10 шт
    66 ₽
  • 100 шт
    33 ₽
  • 1000 шт
    22.7 ₽
  • 2500 шт
    22 ₽
  • 10000 шт
    21 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 103
При покупке кэшбэк 15 баллов


DMN31D5UFZ-7B характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 3-XFDFN
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса X2-DFN0606-3
Рассеивание мощности (Макс) 393mW (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 22.2pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Vgs (Max) ±12V
  • Производитель
    Diodes Incorporated

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 3-XFDFN
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса X2-DFN0606-3
Рассеивание мощности (Макс) 393mW (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 22.2pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Vgs (Max) ±12V

DMN31D5UFZ-7B

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 150мА; Idm: 0,5А; 393мВт
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Diodes Incorporated

Бесплатная доставка DMN31D5UFZ-7B по России

Транзисторы — полевые — одиночные DMN31D5UFZ-7B Diodes Incorporated доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить DMN31D5UFZ-7B с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
525 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
13800 шт.
от 131 ₽
+ 20
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 44 ₽
+ 178
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
588078 шт.
от 108 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
635732 шт.
от 108 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
12701 шт.
от 108 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
25249 шт.
от 89 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
521592 шт.
от 103 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
66998 шт.
от 98 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
743385 шт.
от 108 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
24078 шт.
от 96 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
21248 шт.
от 103 ₽
+ 15