DMN3135LVT-7 от 112 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,7А; Idm: 25А; 0,84Вт; TSOT26, Diodes Incorporated

DMN3135LVT-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	840mW
Исполнение корпуса	TSOT-26
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	305pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	840mW
Исполнение корпуса	TSOT-26
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	305pF @ 15V