DMN3035LWN-7 от 130 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,4А; Idm: 30А; 1,1Вт, Diodes Incorporated

DMN3035LWN-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	770mW
Исполнение корпуса	V-DFN3020-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 4.8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	399pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	770mW
Исполнение корпуса	V-DFN3020-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 4.8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	399pF @ 15V