Каталог товаров
Назад

DMN3018SSD-13

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,2А; 1,5Вт; SO8; ESD
140
  • 1 шт
    140 ₽
  • 10 шт
    95 ₽
  • 100 шт
    65 ₽
  • 500 шт
    51 ₽
  • 1000 шт
    46.5 ₽
  • 2500 шт
    41 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 140
При покупке кэшбэк 21 балл


DMN3018SSD-13 характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1.5W
Исполнение корпуса 8-SO
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 697pF @ 15V
  • Производитель
    Diodes Incorporated

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1.5W
Исполнение корпуса 8-SO
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 697pF @ 15V

DMN3018SSD-13

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,2А; 1,5Вт; SO8; ESD
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Diodes Incorporated

Бесплатная доставка DMN3018SSD-13 по России

Транзисторы — полевые — массивы DMN3018SSD-13 Diodes Incorporated доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить DMN3018SSD-13 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 1 903 ₽
+ 285
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
12 шт.
от 1 524 ₽
+ 229
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
15 шт.
от 2 084 ₽
+ 313
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 2 038 ₽
+ 306
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
63 шт.
от 1 594 ₽
+ 239
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
194 шт.
от 1 670 ₽
+ 251
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
635 шт.
от 1 598 ₽
+ 240
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
110 шт.
от 1 661 ₽
+ 249
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
30 шт.
от 1 363 ₽
+ 204
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
3 шт.
от 2 215 ₽
+ 332
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
30 шт.
от 1 549 ₽
+ 232
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
50 шт.
4 шт.
от 1 417 ₽
+ 213