Каталог товаров
Назад

DMN3016LK3-13

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13,6А; Idm: 90А; 1,8Вт; TO252
165
  • 1 шт
    165 ₽
  • 10 шт
    106 ₽
  • 100 шт
    71 ₽
  • 500 шт
    55 ₽
  • 1000 шт
    50 ₽
  • 2500 шт
    42 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 165
При покупке кэшбэк 24 балла


DMN3016LK3-13 характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-252
Рассеивание мощности (Макс) 1.6W (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 12.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 11A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1415pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Diodes Incorporated

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-252
Рассеивание мощности (Макс) 1.6W (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 12.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 11A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1415pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

DMN3016LK3-13

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13,6А; Idm: 90А; 1,8Вт; TO252
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Diodes Incorporated

Бесплатная доставка DMN3016LK3-13 по России

Транзисторы — полевые — одиночные DMN3016LK3-13 Diodes Incorporated доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить DMN3016LK3-13 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
535 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
13800 шт.
от 130 ₽
+ 20
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 43 ₽
+ 174
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
588078 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
635732 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
12701 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
25249 шт.
от 88 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
521592 шт.
от 102 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
66998 шт.
от 98 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
743385 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
24078 шт.
от 95 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
21248 шт.
от 102 ₽
+ 15